通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜(正硅酸乙酯)


TEOS是正硅酸乙酯Si(OCH2CH3)4的简写. TEOS分子是正方体结构.它在室温下是无色液体,味道接近酒精味道.它的沸点是169℃,但在45℃就可以蒸发.它的蒸汽压力在室温下是1.5Torr. 它是具有易燃性,吸入其蒸汽可致中毒.其蒸气或雾对眼睛、皮肤、粘膜和呼吸道有刺激作用,接触后能引起头痛、恶心和呕吐.慢性挥发会伤及内脏,如肝脏,血液,肾和肺.


关于TEOS 低压气相沉积工艺,蒸汽可以通过鼓泡器或者液体注射器带进工艺炉管内.无论那种情况,这些液体被缓慢加热至略超过室温,这样可以增加局部压力.通入工艺腔的气体应不含水分,这样避免产生聚合物. TEOS 和水汽反应会生成聚合物会逐步降低TEOS的局部压力,进而影响薄膜特征(称为漂移).


在TEOS 氧化硅工艺中,TEOS 大多是通过惰性气体携带进入650~850℃的工艺腔体内.TEOS 分子会分裂和吸附在晶片表面.临近的乙烷基和烃基会形成稳定的产品,然后从表面热分解成O-SI-O 和副产品.另外,TEOS 自身具备良好的氧原子,添加氧气可以提高反应速率.氮气一般作为携带气体.


这种单一的前驱低压气相沉积氧化工艺相较于LTO 有很多优势,保型的台阶覆盖,较好的质量,纯度更高,回流特性和热稳定性.它的缺点是它是在高温环境(625 - 725 °C)下运行的,不适合于铝衬底.

  • 典型薄膜厚度: 0.05 - 3 µm
  • 批产能: 50 (18" FLAT ZONE) 或者 100 (34" FLAT ZONE)
  • 折射率在 AT 550 nm / 1.41 - 1.46
  • 沉积速率: 15-25 nm/min (150 - 250 µm/min)
  • 气体: TEOS (99.9999%)/O2
  • 均匀性指标: < 5% 适用于8英寸及以下晶圆I>
  • 典型TEOS 温度: 35 - 50 °C
  • 典型沉积温度: 625 - 725 °C GRADIENT
  • 典型沉积压力: 几托或者更低
  • 典型气体流量: 与TYSTAR 工程师确认
  • 衬底材料: SILICON, SILICON NITRIDE, III-V SEMICONDUCTORS, AND ETC.

TEOS 低压化学气相沉积主要用于沉积介电材料,隔离层,遮掩层材料和光波导材料的的氧化物。关于更多 TEOS/O2 工艺信息,请致电Tel: (310) 781-9219 或发邮件至 sales@tystar.com




低压化学气相沉积工艺