通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜，掺杂低温氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃

低温氧化硅薄膜主要用作牺牲层，扩散掩膜，离子注入掩膜，刻蚀掩膜，绝缘层和钝化等。这些工艺相较于常规热氧化是在很低的温度（400-450℃）运行的，所以可以兼容很多材料。薄膜材料质量相对差一些，较低的介电系数，阶梯覆盖性不一致性较高以及氢杂质的掺入导致较低的薄膜密度和氢氟酸刻蚀速率的增加。沉积后退火处理可以提高薄膜密度以及使得刻蚀更加均匀。掺杂的氧化工艺可以减低回流物的熔点，增加它自身的被刻蚀速率（这样使得作为牺牲层的它更具吸引力），以及降低了应力。磷也可以吸收钠离子.

磷硅玻璃会影响多晶硅表面生长属性。例如605℃的多晶硅沉积，晶向111会取代晶向100并且应力也会相对低一些。在两个磷硅玻璃层之间采用退火工艺获得掺杂多晶硅，这样可以减低应力.

因硅烷可以自发与氧气反应，为避免炉管内不可接受的浓度下降，采用了单独的进气方式。良好的温度控制需要采用轻质加热炉体，使用笼型舟来提高工艺均匀性.