通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH4)


制备多晶硅最常用的工艺气体是硅烷 (SiH4).多晶硅薄膜也可以用其他气体制备,如乙硅烷(参考后一项),二氯甲硅烷,三氯甲硅烷。每一种都有自身的优势,这取决于应用范围。多晶硅薄膜也可以进行原位掺杂(使用磷烷,参考磷掺杂多晶硅的制备).

  • 典型薄膜厚度: 0.1 - 2 μm
  • 批产能: 50 (18 恒温区) 或者 100 (34 恒温区)
  • 沉积速率: 6 - 20 nm/MIN. (60 - 200 Å/MIN.)
  • 沉积气体: SILANE SiH4
  • 沉积温度: 580 - 850 °C
  • 折射率: 3.5 - 5.5
  • 均匀性指标: < 3% USING 1σ
  • 残余应力: 50 - 100 MPa

应用范围:MEMS结构层,电阻,MOSFET 栅极,动态记忆元板,沟槽填充,双极性晶体管发射端,光伏电池等.




低压化学气相沉积工艺