通过低压化学气相沉积制备非晶硅薄膜

多晶硅薄膜的生长温度是600-650℃，非晶硅薄膜的生长温度是在500-550℃。低温可以得到较低的应力和较小的晶粒。沉积后退火处理可以降低应力并再结晶，使较大晶粒和非晶薄膜本征压应力转变为张应力。压应力和张应力相互交织，整体压力可以保持较低的状态，这时是不需要低温退火的。小晶粒具有较低的导热系数并且较易被氢氟酸腐蚀。在600-650℃，多晶硅薄膜晶向主要是110，工艺温度越高晶向越趋向于100.

• 典型薄膜厚度:0.1 - 2 µm
• 批产能: 50
• 沉积速率: 1-3 nm/MIN. (10 - 30 Å/MIN.)
• 沉积温度: 500 - 550 °C
• 折射率 AT 550nm
• 均匀性指标: < 3% USING 1σ
• 工艺气体: SILANE SIH₄

应用范围：LCD 薄膜晶体管，薄膜光伏电池

低压化学气相沉积工艺

• 超高温氧化炉
• 氮化硅谐振腔
• 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH₄)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si₂H₆)
• 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜，掺杂低温氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃
• 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）
• 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
• 化学计量氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiN_xO_y)
• 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD
• 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜（SIPOS)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅
• 外延硅
• 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料