POCL₃ 或 BBR₃ 液态源扩散

在这些工艺中，氮气携带液态源进入工艺炉管内，在炉管内和氧气反应生产硼化玻璃或磷化玻. 从而将杂质扩散到硅片内.

• 表面电阻: 1-100 Ω/□
• 批产能: 18英寸恒温区产能100片；34英寸恒温区产能200片
• 气体: NITROGEN, OXYGEN
• 均匀性指标: < 10%

常压化学气相沉积工艺

• 超高温氧化炉
• 氧化硅谐振腔
• 湿法氧化
• 带有二氯乙烯清洗的干法氧化
• 厚膜热氧化
• 固态源扩散
• POCL₃ 或 BBR₃ 液态源扩散
• 退火
• 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料