改进型化学气相沉积 (MCVD)


生产光纤需要很多步骤,其中改进型化学气相沉积是第一个步骤,用于火焰加热和化学气相沉积。 在改进型化学气相沉积工艺中,改进的前驱源一般是由盛放在鼓泡器中的SiCl4 和GeCl4 和其它混合气体组成,氧气是鼓泡携带气体。 工艺气体通过鼓泡器进入到二氧化硅或有旋转台的石英管内。 当旋转台开始旋转时,火焰会沿着炉管上下旋转进行加热。 气体反应后沉积物(二氧化硅)和二氧化锗(GeO2)融合在一起附着在炉管的内表面上。


FVD 2000使用的气体质量流量控制器能够控制如氢气、氧气、氦气和氯气等气路, 以及气态SiCl4和GeCl4。 温度控制是通过控制氢气火焰来控制二氧化硅薄膜沉积和补液回流系统。 这类设备通常是根据客户需求定制的,欢迎随时联系我们获取更多信息。


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