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光增强型CVD反应器


Tystar PVD1000光增强型化学气相沉积反应器采用紫外线作为能源, 在低温条件(<150ºC)下激发工艺气体实现介质薄膜沉积. 该设备可用于沉积二氧化硅薄膜(SiO2)、氮化硅薄膜(Si3N4)、氮氧化硅薄膜(SiON)和其它薄膜. 由于沉积温度较低从而得到低应力薄膜. 由于所使用的UV光子能量并没有将工艺气体电离, 避免因带电粒子而造成的辐射损伤.


PVD1000沉积膜提供了良好的阶梯覆盖率. PVD1000系统可选择单腔室和双腔室结构。 PVD1000反应器适用于多种“III/V”族衬底材料上的薄膜沉积, 如砷化镓、锑化铟和其它的材料, 这些材料均不能承受较高的沉积温度。

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